미국 벤처기업 크로스바(www.crossbar-inc.com)가8월 5일(현지시간) 기존 플래시 메모리보다 소비전력은 20분의 1 수준으로 줄인 반면 쓰기 속도는 20배, 크기는 절반, 내구성은 10배를 높인 고성능 메모리 크로스바 RRAM을 개발했다고 밝혔다.

RRAM(Resistive Random Access Memory)이란 차세대 메모리로 주목받는 저항변화형 메모리. 지난 2011년 삼성전자가 관련 기술 개발을 밝히면서 쓰기와 지우기를 기존 플래시 메모리보다 100만 배나 높은 1조 번 반복할 수 있고 내구성은 높은 반면 별도 트랜지스터가 필요 없어 메모리 용량을 늘릴 여지가 많다고 밝힌 바 있다.

이번에 크로스바가 개발한 RRAM은 크기는 200mm²로 우표보다 작은 손톱 크기 정도다. 하지만 용량은 1TB에 이른다. HD급 동영상을 기준으로 따져도 250시간 분량을 우표보다 작은 크기에 저장할 수 있는 것. 그 뿐 아니라 RRAM은 서로 겹쳐서 쌓을 수도 있는 만큼 수 TB에 이르는 대용량을 단말기에 넣을 수 있다.

이렇게 고용량이지만 기존 낸드플래시와 견줘 크기가 절반 수준이어서 단말기 탑재에도 유리하다. 실제로 크로스바가 밝힌 바에 따르면 크기는 25nm 제조공정 8GB 기준으로 일반 낸드플래시가 167mm²이라면 RRAM은 77mm²에 불과하다.

또 다른 장점은 앞서 설명했듯 기존 플래시 메모리보다 소비전력이 20분의 1 수준에 불과하다는 것이다. 모바일 단말기에 사용할 경우 배터리 수명을 비약적으로 늘릴 수 있을 것으로 기대된다.

속도도 빼놓을 수 없다. 이 제품의 쓰기 속도는 7MB/sec 정도인 일반 낸드플래시보다 20배 빠른 140MB/sec에 이른다. 제품 구조는 단순하다. RRAM을 3D 형태로 쌓은 3층 구조여서 상용화도 빠르게 이뤄질 수 있다는 설명이다.

크로스바 측은 RRAM 메모리 어레이는 이미 생산에 들어간 상태이며 상품화와 라이선스 등을 준비 중이다. 크로스바 RRAM에 대한 자세한 내용 원문은 이곳에서 확인할 수 있다.

이석원 기자  lswcap@techholic.co.kr

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