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삼성전자, 세계 최초 ‘2세대 10나노급 D램’ 양산...초격차 기술로 미세화 한계 돌파서버·모바일·그래픽 등 1y나노 D램 라인업 지속 확대로 프리미엄 시장 주도

 

삼성전자가 역대 최고 수준의 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 ‘10나노급 2세대(1y나노) D램’의 양산을 개시했다.

20일 삼성전자는 지난달부터 세계 최소 칩 사이즈의 ‘10나노급 8Gb DDR4 D램’을 양산하고 있다고 밝혔다.

지난해 2월 ‘1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램’을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 열어젖힌 지 불과 21개월 만에 다시 한번 반도체 미세공정의 한계를 극복해낸 것이다.

특히 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30%나 높임으로써 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다. 지난 2012년 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3과 비교하면 용량과 속도, 소비전력 효율 모두 2배 향상됐다.

이에 삼성전자는 일부 응용처 제품을 제외하고 10나노급 D램 양산 체제로 전면 돌입할 계획이다.

이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.

먼저 ‘초고속·초절전·초소형 회로 설계’로 1세대 10나노급 D램 대비 10% 이상의 속도 향상과 15% 이상의 소비 전력량 절감을 이뤘다.

또 ‘초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계’를 통해 셀 데이터 읽기 특성도 2배 이상 향상시켰고, ‘2세대 에어 갭(Air Gap) 공정’으로 셀 배열의 집적도를 제고해 칩 사이즈를 대폭 줄였다.

이 같은 첨단 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3, 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다는 것도 큰 의미를 부여할 수 있는 부분이다.

삼성전자 메모리사업부 진교영 사장은 “발상의 전환을 통한 혁신적 기술 개발로 반도체 미세화 기술의 한계를 돌파했다”며, “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환함으로써 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 강조했다.

현재 삼성전자는 1y나노 D램 모듈의 CPU업체 실장 평가를 완료하고, 글로벌 주요 고객과 차세대 시스템 개발관련 기술 협력을 추진하고 있다.

이상엽 기자  sylee@techholic.co.kr

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