23일 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 '화성 EUV라인 기공식'에서 김기남 삼성전자 DS부문장이 기념사를 하고 있다.

삼성전자가 23일 경기도 화성캠퍼스에서 삼성전자 DS부문장 김기남 사장, 파운드리 사업부장 정은승 사장, 권칠승 국회의원, 황성태 화성시 부시장 등이 참석한 가운데 ‘화성 EUV(극자외선) 라인 기공식’을 갖고 생산라인 건설에 본격 착수했다.

신규 화성 EUV 라인은 오는 2019년 하반기 완공돼 시험생산을 거쳐 2020년부터 상용 가동이 개시된다. 초기 투자규모는 건설비용을 포함해 오는 2020년까지 60억 달러(약 6조4,600억원)에 이를 전망이며, 라인 가동 이후 시황에 따라 추가 투자가 진행된다.

특히 이번 신규 라인에는 미세공정 한계 극복에 필수적인 EUV 장비가 본격 도입될 예정이다. 때문에 가동이 이뤄지면 삼성전자의 반도체 미세공정 기술 리더십 유지·강화에 핵심적 역할을 할 것으로 기대되고 있다.

그동안 반도체 산업은 공정 미세화를 통해 집적도 향상과 세밀한 회로 구현을 통해 반도체의 성능과 전력효율 제고에 노력해왔다. 하지만 최근 한자리수 나노 단위까지 미세화가 진행되면서 더욱 세밀한 회로 구현을 위해 기존의 불화아르곤(ArF) 광원보다 파장이 짧은 EUV 장비의 도입이 불가피한 상황이다.

삼성전자 화성캠퍼스 EUV 생산라인 조감도.

앞으로 EUV 기술이 상용화되면 반도체의 성능과 전력효율 향상은 물론 회로 형성을 위한 공정단계도 줄어 생산성을 획기적으로 높일 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다.

이에 삼성전자는 화성 EUV 라인을 필두로 모바일, 서버, 네트워크, 슈퍼컴퓨터(HPC) 등 고성능과 저전력이 요구되는 차세대 첨단 반도체 시장 수요에 적기 대응하는 동시에 7나노 이하 파운드리 미세공정 시장을 주도해 나갈 계획이다.

삼성전자 DS부문장 김기남 사장은 이날 “화성 EUV 신규라인 구축을 통해 화성캠퍼스는 기흥·화성·평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것”이라며 “앞으로도 산학연 및 관련 업계와의 다양한 상생협력을 바탕으로 국가경제에 기여할 방침”이라고 말했다.

한편 삼성전자는 파운드리 7나노 공정부터 EUV 기술을 적용하기 위해 관련 연구개발을 지속 수행해 왔으며, 글로벌 고객과도 7나노 EUV 공정을 활용한 차세대 반도체 칩 개발에 협력하고 있다.

이승필 기자  philph@techholic.co.kr

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