[테크홀릭] 삼성전자가 업계 최고 용량의 셀을 200단 이상 쌓은 3차원 수직 구조의 '비휘발성 메모리' 낸드 플래시 신제품 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드'의 양산에 들어갔다고 7일 밝혔다.

삼성전자의 '1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드'는 시장의 고집적, 고용량에 대한 요구에 대응해 저장용량을 1Tb(테라비트)까지 높이는 동시에 메모리 한 개당 집적도를 높였다. 이를 통해 웨이퍼(원판) 한 장당 생산할 수 있는 제품의 수가 늘어났다. 이는 원가 경쟁력이 대폭 향상되는 효과다.

또 셀 하나당 높이도 기존 제품보다 줄여 부피까지 줄였다.

삼성전자는 지난 7세대(176단) V낸드에 이어 8세대에도 3차원(3D) 스케일링 기술을 적용해 셀의 평면적과 높이 등 체적을 줄이는 데 성공했다. 이를 통해 단수는 50단 이상 높아졌지만 부피의 증가는 최소화했다고 회사 측은 설명했다.

또 이 기술을 활용하면 여기에 셀 간 거리가 가까워지면서 생길 수 있는 간섭현상도 제어할 수 있었다고 회사 측은 밝혔다.

성능도 기존 제품보다 개선됐다. 8세대 V낸드의 데이터 입출력 속도는 최대 2.4Gbps다. 이는 7세대 대비 1.2배 향상됐다. 최신 낸드플래시 인터페이스 토글 DDR 5.0이 적용된 결과다. 또 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.

삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 “시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”며, “8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것”이라고 밝혔다.

앞서 삼성전자는 지난 8월 ‘플래시 메모리 서밋’과 10월 ‘삼성 테크 데이’에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다.

2002년부터 낸드플래시 1위 자리를 지키고 있는 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드 개발 등 혁신적인 신기술과 원가경쟁력을 바탕으로 시장의 패러다임을 주도해나갈 계획이다.

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삼성전자 8세대 V낸드(사진=삼성전자)

유상훈 기자  thtower1@techholic.co.kr

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