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내년 상반기…퀄컴 스냅드래곤835 온다




퀄컴이 차세대 모바일 SoC인 스냅드래곤 835(Snadpragon 835)를 발표했다. 자세한 사양은 아직 밝히지 않았지만 반도체 성능을 좌우하는 제조공정의 경우 삼성전자 10nm FinFET을 이용한다. 10nm FinFET은 현행 14nm 공정보다 면적은 30% 줄이고 성능은 27%, 전력 절감은 40% 가능하다고 한다.

이에 따라 스냅드래곤 835 역시 현재 나온 모델보다 전력 소비량을 최소화하면서 성능 향상과 다이 면적 소형화가 가능할 것으로 보인다. 물론 구체적인 수치는 아직 공개되지 않았다.

퀄컴은 또 스냅드래곤 835가 지원하는 새로운 급속 충전 기술인 퀵차저 4(Quick Charge 4)도 발표했다. 퀵차저 4는 기존 3.0보다 20% 빠르고 충전 효율은 30% 늘었다. USB 타입C와 USB-PD를 지원하며 다른 기기기의 온도에 따라 충전 속도를 제어하는 INOV(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) 기술을 채택, 5분 충전하면 5시간 이상 사용할 수 있다고 한다.

퀄컴에 따르면 스냅드래곤 835는 내년 상반기 출시될 단말에 탑재될 예정이다. 이미 200개가 넘는 디자인이 개발되고 있다고 한다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.

이석원 기자  lswcap@techholic.co.kr

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