퀄컴이 1월 5∼8일까지 미국 라스베이거스에서 열리는 CES 2017 기간 중 최상위 SoC인 스냅드래곤 835에 대한 세부 사항을 공개했다. 스냅드래곤 835는 퀄컴이 지난해 모델명 등 일부 정보를 공개한 바 있다. 하지만 이번에는 기술 정보와 성능을 추가 공개한 것.

스냅드래곤 835는 기존 스냅드래곤 820과 견줘 소비전력은 25%까지 줄이는 반면 CPU 처리 속도는 20%, GPU 성능은 25% 끌어올렸다. 반도체 패키징 크기 역시 스냅드래곤 820과 비교해 35% 줄었다. 칩 자체가 작아진 만큼 기판도 덩달아 줄고 배터리 용량을 늘릴 수 있는 여력을 좀더 확보할 수 있다는 장점을 기대할 수 있다.

퀄컴은 CPU의 경우 코어 수가 기존 스냅드래곤 810은 8개였다가 820을 내놓으면서 자체 개발한 크라이요(Kryo)로 코어당 성능은 높였지만 코어 전체 수는 4개로 줄인 바 있다. 그런데 이번 스냅드래곤 835는 크라이요 280 코어 8개를 탑재했다. 다만 동작 클록은 고성능 2.45GHz와 저전력 1.9GHz로 각각 4개씩 나눠서 부하에 따라 전환하는 빅리틀 방식을 채택했다.





최근 트렌드도 적극 반영하고 있다. GPU에선 구글의 가상현실 플랫폼인 데이드림(Daydream)과 HDR10 사양을 지원한다. 무선 통신은 LTE로 이론상 최고치인 1Gbps 속도를 지원하며 블루투스는 5.0 외에 외부 칩으로 와이기그, IEEE802.11ad 지원을 할 수 있다.

카메라용 DSP는 전자식 손떨림 보정 정밀도를 기존보다 높였고 후면 듀얼 카메라의 오토포커스 속도를 끌어올렸다. 덕분에 어두운 곳에서 촬영을 해도 노이즈 감소를 기대할 수 있다. 오디오는 32비트, 384kHz 고해상도 음원과 3D 객체 오디오 기술, DSD 음원을 PCM으로 변환하지 않고 기본 재생할 수 있다.

스냅드래곤 835는 급속 충전 기술도 퀵차지 4.0(Quick Charge 4)을 지원한다. USB 타입C 단자나 USB PD 사양을 만족하며 기존 퀵차지 3.0보다 충전 속도는 20% 빨라져 최대 효율 30%를 기대할 수 있다고 한다. 배터리가 0% 상태라면 15분 가량이면 50% 충전이 가능하다고 한다.

스냅드래곤 835는 CPU와 GPU 쪽에 한정되지 않고 스마트폰에서 이용할 수 있는 기능 전반에 대한 성능 향상을 도모하고 있다고 할 수 있다. 이런 전방위 성능 향상에는 제조공정을 10nm로 미세화하고 스냅드래곤 820에도 채택했던 3차원 구조 반도체 기술인 핀펫(FinFET) 기술을 반영한 것도 한 몫 한다. 참고로 스냅드래곤 835의 생산은 삼성반도체가 맡는다. 스냅드래곤 835를 탑재한 제품은 올해 초반부터 나온다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.

이석원 기자  lswcap@techholic.co.kr

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