[테크홀릭] SK하이닉스가 EUV(극자외선) 장비를 활용한 초미세공정을 통해 4세대 10나노 D램 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 이달초부터 '4세대 10나노(1a)' 미세공정을 적용한 8Gb LPDDR4 모바일 D램 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.

반도체 업계는 미세공정 단계에 접어든 D램 제품에 대해 회로 선폭 10나노급부터 세대별로 알파벳을 붙여서 약칭으로 표기하고 있다. 1세대의 경우 '1x', 2세대는 '1y', 3세대는 '1z'로 불린다.

현재 가장 진보한 단계로 꼽히는 4세대는 '1a'인데 SK하이닉스는 사상 처음으로 D램 생산 단계에서 EUV 공정을 활용한 것이다.

EUV(Extreme Ultraviolet)는 반도체 핵심 공정 중 하나인 '노광' 과정에서 기존에 쓰이던 불화아르곤(ArF) 광원의 14분의 1 미만인 극자외선을 활용해 얇고 세밀한 회로 패턴을 구현할 수 있는 것이 특징이다.

SK하이닉스 관계자는 "2세대 10나노 제품 생산 과정에서 EUV 장비를 일부 도입해 안정성을 확인했다"고 설명했다.

SK하이닉스는 앞으로 모든 1a D램 생산 과정에서 EUV를 활용할 방침이다. 지난해 10월 업계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5 제품에 대해서는 2022년초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

특히 EUV를 활용하면 원가 경쟁력을 높여 수익성 제고에도 도움이 될 것으로 예상된다. 1a D램은 3세대 제품에 비해 같은 크기의 웨이퍼에서 얻을 수 있는 D램 완성품 수량이 약 25% 증가한다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장 부사장은 "생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 밝혔다.

한편, SK하이닉스는 지난 2월 전 세계에서 유일하게 EUV 장비를 생산하는 네덜란드의 반도체 장비업체 ASML과 5년간 장비도입 계약을 맺은 바 있다.

총 계약 규모는 4조7549억원에 달한다. EUV 장비 1대당 평균 가격이 2000억원 수준으로 알려져 있어서 SK하이닉스는 5년간 20대 이상의 EUV 장비를 도입할 것으로 예상된다.

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SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광장비를 활용해 양산하는 10나노급 4세대 D램(사진=SK하이닉스)

유상훈 기자  thtower1@techholic.co.kr

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